IT之家7 月 27 日音讯 今天，英特尔发布了其有史以来最详细的制程技能路线图之一，展示了从现在到 2025 年甚至未来，驱动新产品开发的技能。
现在，英特尔官方发布资料介绍了完成此路线图技能的要害细节，并解说了新的节点命名办法反面的根据。
以下是英特尔制程技能路线图、完成每个节点的技能和新节点命名的详细信息：
经过 FinFET 晶体管优化，每瓦功能比英特尔 10 纳米 SuperFin 提高约 10% - 15%，优化方面包括更高应变功能、更低电阻的资料、新式高密度蚀刻技能、流线型结构，以及更高的金属仓库完成布线 将在这一些产品中露脸：于 2021 年推出的面向客户端的 Alder Lake，以及估计将于 2022 年第一季度投产的面向数据中心的 Sapphire Rapids。
与 Intel 7 比较，Intel 4 的每瓦功能提高了约 20% ，它是首个彻底选用 EUV 光刻技能的英特尔 FinFET 节点，EUV 选用高度杂乱的透镜和反射镜光学系统，将 13.5 纳米波长的光对焦，从而在硅片上刻印极微小的图样。相较于之前运用波长为 193 纳米的光源的技能，这是巨大的前进。Intel 4 将于 2022 年下半年投产，2023 年出货，产品有面向客户端的 Meteor Lake 和面向数据中心的 Granite Rapids。
Intel 3 将继续获益于 FinFET，较之 Intel 4，Intel 3 将在每瓦功能上完成约 18% 的提高。这是一个比一般的规范全节点改善水平更高的晶体管功能提高。Intel 3 完成了更高密度、更高功能的库；提高了内涵驱动电流；经过削减通孔电阻，优化了互连金属仓库；与 Intel 4 比较，Intel 3 在更多工序中增加了 EUV 的运用。Intel 3 将于 2023 年下半年开端出产相关产品。
PowerVia 和 RibbonFET 这两项突破性技能敞开了埃米年代。PowerVia 是英特尔独有、业界首个反面电能传输网络，它消除晶圆正面的供电布线需求，优化信号布线，一起削减下垂和下降搅扰。RibbonFET 是英特尔研制的 Gate All Around 晶体管，是公司自 2011 年首先推出 FinFET 以来的首个全新晶体管架构，供给更快的晶体管开关速度，一起以更小的占用空间完成与多鳍结构相同的驱动电流。Intel 20A 估计将在 2024 年推出。
英特尔公司 CEO 帕特・基辛格表明：“摩尔定律仍在继续收效。关于未来十年走向逾越‘1 纳米’节点的立异，英特尔有着一条明晰的途径。我想说，在尽头元素周期表之前，摩尔定律都不会失效，英特尔将继续运用硅的奇特力气不断推动立异。”
数十年来，制程工艺“节点”的称号与晶体管的栅极长度相对应。尽管业界多年前不再恪守这种命名法，但英特尔一向沿袭这种前史方式，即运用反映尺度单位（如纳米）的递减数字来为节点命名。
现在，整个职业运用着各不相同的制程节点命名和编号计划，这些多样的计划既不再指代任何详细的衡量办法，也无法全方面展示怎样来完成能效和功能的最佳平衡。
在发表制程工艺路线图时，英特尔引入了根据要害技能参数 —— 包括功能、功耗和面积等的新命名系统。从上一个节点到下一个节点命名的数字递减，反映了对这些要害参数改善的全体评价。
跟着职业越来越挨近“1 纳米”节点，英特尔改动命名方法，以更好地反映全新的立异年代。详细而言，在 Intel 3 之后的下一个节点将被命名为 Intel 20A，这一命名反映了向新年代的过渡，即工程师在原子水平上制作器材和资料的年代 —— 半导体的埃米年代。
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